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[发明专利]一种拉晶系统和硅氧化物收集方法-CN202310618505.3在审
发明人：韩昀钊;谢志宴;韩伟;杜超;杜倩;邓浩 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B27/02 文献下载
摘要：本公开涉及一种拉晶系统和硅氧化物收集方法，该拉晶系统包括拉晶炉、硅氧化物收集单元以及气体回收单元，硅氧化物收集单元的入口与拉晶炉的内部连通，硅氧化物收集单元的出口与气体回收单元的入口连通，硅氧化物收集单元能够对来自拉晶炉的气体中的硅氧化物进行收集气体回收单元进行工作时，气体回收单元能够将拉晶炉内的气体抽出，当气体经过硅氧化物收集单元时，且该硅氧化物收集单元能够对从拉晶炉内排出的气体中的硅氧化物进行收集，从而实现对硅氧化物的有效回收，避免硅氧化物的浪费
一种晶系氧化物收集方法

[发明专利]要求有耐候性的涂饰用硅氧化物被覆氧化物组合物以及其的制造方法-CN201680029533.X有效
发明人：榎村真一;本田大介 -专利权人： M技术株式会社
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： C09D201/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种可控制颜色特性、尤其是反射率的涂饰用硅氧化物被覆氧化物组合物、以及含有氧化物粒子的涂饰用组合物的制造方法，该氧化物粒子与构成要求有耐候性的涂饰体的涂料配合而使用。涂饰用硅氧化物被覆氧化物组合物的特征在于，其为包括硅氧化物被覆氧化物粒子的要求有耐候性的物质，该氧化物粒子的表面的至少一部分被覆有硅氧化物，硅氧化物为，以对涂饰用硅氧化物被覆氧化组合物的颜色特性进行控制为目的的非晶质此外，所述涂饰用组合物的制造方法，其特征在于，通过以对非晶质的硅氧化物的有无和乙酰基的有无进行选择的方式而制造所述氧化物粒子，从而对所述氧化物粒子的颜色特性进行控制，该非晶质的硅氧化物对所述氧化物粒子的表面的至少一部分进行被覆，该乙酰基作为所述硅氧化物被覆氧化物粒子中所含有的官能基。
要求有耐候性涂饰氧化物被覆组合及其制造方法

[发明专利]一种减反射膜及其制备方法-CN201310606352.7在审
发明人：黎宪宽;周维;孙永亮 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： B32B17/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种减反射膜，所述减反射膜包括玻璃基板及依次涂覆在玻璃基板表面的线形二氧化硅层、空心二氧化硅层和复合硅氧化物层；所述复合硅氧化物层为硅钛氧化物层、硅锆氧化物层、硅铝氧化物层、硅钛锆氧化物层、硅钛铝氧化物层、硅锆铝氧化物层和硅钛锆铝氧化物层中的一种。
一种减反射膜及其制备方法

[发明专利]一种钴硅氧化物材料及其制备方法和应用-CN201911113631.3有效
发明人：吴传德;叶嘉辉 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：本发明属于催化剂技术领域，尤其涉及一种钴硅氧化物材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种钴硅氧化物材料，包括硅氧化物和氧化钴；所述硅氧化物具有多孔结构，所述氧化钴负载于所述硅氧化物的孔道表面；所述氧化钴为CoOx，1≤x≤1.5。本发明钴硅氧化物材料以具有多孔结构的硅氧化物为骨架，负载于硅氧化物孔道表面的氧化钴为活性中心，实验结果表明，该钴硅氧化物材料作为环己烷氧化催化剂时，催化活性高，环己烷催化氧化的反应条件温和，环己醇与环己酮的产率高并且，该钴硅氧化物材料容易通过简单离心回收利用，可以多次循环使用并持续保持高催化活性。
一种氧化物材料及其制备方法应用

[发明专利]硅基复合物及其制造方法-CN201380003484.9有效
发明人：姜允雅;李龙珠;李美林;金帝映;郑惠兰 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01M4/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基复合物，包含在其上涂布有碳并在其中结合至锂的硅氧化物。本发明还涉及一种制造硅基复合物的方法，包括利用碳对硅氧化物的表面进行涂布；将涂布有碳的硅氧化物与锂氧化物混合；以及在惰性气氛中对所述涂布有碳的硅氧化物与所述锂氧化物的混合物进行热处理。
复合物及其制造方法

[发明专利]硅基负极材料、硅碳复合负极材料、其制备方法及应用-CN202210272254.3在审
发明人：龙祖鑫;李红生;李慧;钱柳;吕金钊 -专利权人：孚能科技（赣州）股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及硅基负极材料、硅碳复合负极材料、其制备方法及应用，属于锂离子电池相关技术领域。所述硅基负极材料包括微米硅颗粒以及硅氧化物层，微米硅颗粒的外表面包覆有多层硅氧化物层，多层硅氧化物层的氧含量由外层至内层逐渐减小；多层硅氧化物层中最外层的硅氧化物层中均匀分布有碳材料，或多层硅氧化物层中最外层的硅氧化物层的外表面包覆有碳材料层本发明的硅基负极材料具有多层壳核结构，内层为高容量微米硅，中间层为富硅的硅氧化物，外层为富氧的硅氧化物，有效保证了材料高容量的发挥和结构的稳定性。本发明的硅基负极材料在二次锂离子电池中具有高首次库伦效率，高容量和优异的循环性能等特点。
负极材料复合制备方法应用

[发明专利]通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法-CN200510086640.X无效
发明人：韩伟华;张扬;刘剑;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-04-25 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：一种通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管，包括：一硅衬底；一氧化物绝缘层制作在硅衬底上；一硅纳米电导细线制作在氧化物绝缘层上；一源极和漏极分别制作在氧化物绝缘层上，分别位于硅纳米电导细线的两端，并与硅纳米电导细线连接；一平面栅电极制作在氧化物绝缘层上；一氧化物薄层包裹在源极、漏极、硅纳米电导细线和平面栅电极的表面；二个氧化物隧穿结是通过注氧和热氧化形成的，埋于硅纳米电导细线的内部，并由氧化物隧穿结所限制；二个掩膜窗口包裹在硅纳米电导细线表面的氧化物薄层上，位于氧化物隧穿结上面。
通过进行量子限制硅基单电子晶体管制作方法

[发明专利]由二氧化硅制备太阳能级硅-CN200980138709.5无效
发明人： H·劳勒德尔;E·米;M·希拉伊;P·纳格勒;B·弗林斯;I·伦特-里格;A·卡尔;C·潘茨;T·格罗特;G·斯托赫尼奥尔;M·罗施尼亚;J·E·朗;O·沃尔夫;R·施米茨;B·诺维茨基;D·韦威尔斯 -专利权人：赢创德固赛有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备适合用作太阳能级硅的纯硅的完整方法，包括用一种或多种纯碳源还原硅氧化物，所述硅氧化物是通过从溶解在水相中的硅氧化物的水溶液中经酸沉淀被纯化的硅氧化物，所述纯化的硅氧化物特别是通过在酸化剂中沉淀溶解在水相中的硅氧化物获得本发明还涉及一种含有活化剂的配制物、和生产硅的设备、反应器和电极。
二氧化硅制备太阳能级

[发明专利]一种碳包覆多孔硅氧化物材料及其制备方法和应用-CN202110363138.8在审
发明人：顾华清;李婷;李辉;刘芳;冯苏宁 -专利权人：江西紫宸科技有限公司
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳包覆多孔硅氧化物材料及其制备方法和应用。碳包覆多孔硅氧化物材料包括：纳米硅晶粒分散在氧化硅基体中构成的多孔硅氧化物和包覆所述多孔硅氧化物的碳包覆层；所述多孔硅氧化物的通式为S i Ox，0.5x1.2；所述多孔硅氧化物的粒度D50介于1um‑20um之间，所述纳米硅晶粒的尺寸介于5nm‑30nm之间；所述碳包覆多孔硅氧化物材料呈多孔结构，其中，孔的尺寸为2nm‑100nm；所述碳包覆多孔硅氧化物材料中的碳含量介于1％‑30％之间；所述碳包覆多孔硅氧化物材料的比表面积为2m2/g‑60m2/g。
一种碳包覆多孔氧化物材料及其制备方法应用

[发明专利]具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠-CN201280000107.5在审
发明人：赛格·利维;克里希纳斯瓦米·库马尔;斐德列克·杰能;萨姆·吉哈 -专利权人：赛普拉斯半导体公司
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种包括硅-氧化物-氮氧化物-氧化物-硅结构的半导体装置及其形成方法。一般而言，该结构包含：在包括硅的基板的表面上的隧道氧化物层；多层电荷储存层，其包括该隧道氧化物层上的富氧第一氮氧化物层，其中该第一氮氧化物层的化学计算量组成导致其实质上无陷阱，及该第一氮氧化物层上的贫氧第二氮氧化物层，其中该第二氮氧化物层的化学计算量组成导致其陷阱致密；该第二氮氧化物层上的阻挡氧化物层；及该阻挡氧化物层上的含硅闸极层。
具有多重氧化物氮化物堆叠

[发明专利]集成电路器件及其制造方法以及形成钒氧化物膜的方法-CN200510062519.3有效
发明人：川原尚由;村濑宽;大漥宏明;中柴康隆;小田直树;佐佐木得人;伊藤信和 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在中间层绝缘层上形成钒氧化物膜，并且在钒氧化物膜上依次形成硅氧化物膜和硅氮化物膜。使用抗蚀剂图形作为掩模，对硅氮化物膜进行构图。然后，通过使用剥离溶液或氧等离子体灰化来去除抗蚀剂图形。接下来，使用构图的硅氮化膜作为掩模，对硅氧化物膜和钒氧化物膜进行蚀刻，以形成钒氧化物的电阻膜。
集成电路器件及其制造方法以及形成氧化物

[发明专利]一种石墨、硅氧化物和硅复合的负极材料及其应用-CN202210885305.X有效
发明人：车金柱;马忠龙;谢军君 -专利权人：蜂巢能源科技股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨、硅氧化物和硅复合的负极材料及其应用，其中，本发明的一种石墨、硅氧化物和硅复合的负极材料，由石墨、硅氧化物和硅复合组成，其中石墨的含量为50wt％‑95wt％，硅氧化物的含量为30wt％以下，硅的含量为20wt％以下；且含量满足1.0≤石墨/(硅氧化物+硅)≤19；所述石墨的D50为1μm‑35μm，所述硅氧化物的D50为0.1μm‑3μm，所述硅的D50为0.01μm‑0.2μm；石墨的D50＞硅氧化物的D50；本发明在达到高容量的情况下，依然能有效具有高首效和高容量维持率。
一种石墨氧化物复合负极材料及其应用

[发明专利]多孔硅-硅氧化物-碳复合物和其制备方法-CN201680012923.6有效
发明人：崔丞延;崔壮旭;金银卿;李龙珠;金慧珍 -专利权人：株式会社LG化学;韩国科学技术院
申请日： 2016-03-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种包含硅氧化物‑碳结构和硅粒子的多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物，其中所述硅氧化物‑碳结构包含多个微孔，并且所述硅粒子均匀分布在所述硅氧化物‑碳结构中。本发明的多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物具有减少的因嵌入锂离子造成的体积膨胀，具有改善的导电性，并且具有多孔结构。因此，电解质容易渗透到所述多孔结构中，并且输出特性可以改善。因此当所述多孔硅‑硅氧化物‑碳复合物包含在负极活性材料中时可以进一步改善锂二次电池的性能。
多孔氧化物复合物制备方法

[发明专利]一种MOSFET器件以及制备方法-CN201210158060.7有效
发明人：周晓君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构以及位于栅极两侧的LDD区；在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；蚀刻所述衬底以在所述衬底中将形成源漏区的部位形成沟槽；在所述沟槽的表面形成氧化物绝缘层；在所述氧化物绝缘层上沉积氧化物掩膜层；在所述的氧化物掩膜层上沉积硅氧化物；回刻所述硅氧化物，仅保留沟槽临近所述栅极一侧的侧壁上的所述硅氧化物；以硅氧化物为掩膜，各向同性蚀刻氧化物掩膜层；采用湿法蚀刻去除所述硅氧化物以及未被所述氧化物掩膜层遮盖的氧化物绝缘层；去除残留的所述氧化物掩膜层；在所述沟槽内外延生长硅；形成源漏区。
一种 mosfet 器件以及制备方法

[发明专利]硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法-CN202210692585.2在审
发明人：李银龙;刘珂;胡海洋 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，采用含氯气体形成的等离子体对硅氧化物膜层表面进行处理，以降低硅氧化物膜层表面上的氟元素与硅氧化物膜层表面的结合能力；采用第一惰性气体形成的等离子体轰击处理后的硅氧化物膜层表面，以移除硅氧化物膜层表面的氯元素和氟元素。本发明提供的硅氧化物膜层表面氟元素处理方法、刻蚀方法，可以在原位处理晶圆的前提下，显著降低硅氧化物膜层的表面上的氟元素含量，从而可以保证刻蚀形貌和材料质量。
氧化物表面元素处理方法刻蚀

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